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LED显示照明行业新十年|硅基Mini LED显示

时间:2021-08-04 来源: 点击:810


LED行业每十年左右迎来一轮大的技术和应用升级。十年前以大尺寸背光、小间距显示为代表的应用升级,驱动了2010-2017年LED行业的繁荣。而结合目前芯片价格上涨、中国台湾产业链营收回暖等迹象,LED行业拐点正在来临,下游需求向好叠加技术升级推动行业景气抬升,Mini/Micro LED将开启下一个十年。


LED日趋微型化,Mini & Micro LED应运而生, Mini LED背光产品对提升显示质量效果显著, Mini LED背光商业化进展迅速,有望成为液晶高端显示器解决方案。专家预测Mini & Micro LED直显可能是未来最优的显示技术;高画质、低能耗特点使其在消费电子市场优势尽显。


2021年8月4日,深圳市照明与显示工程行业协会、惠州仲恺高新区LED品牌发展促进会、广州国际照明展览会在广州国际照明展9.2号馆E60联合主办主题为“LED显示照明行业新十年”的Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛。

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大会现场


晶能芯片中心总监杨小东出席Mini & Micro LED显示照明发展高峰论坛并做《硅基LED Mini超高清显示屏应用趋势》主题演讲。

晶能芯片中心总监  杨小东


以下是报告主要内容:


晶能硅基垂直芯片方案有三大优势:

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01

Mini LED显示方案


晶能TFFC芯片P0.6—P0.3间距解决方案简介:

      TFFC: 一般指经过衬底剥离的薄膜LED芯片,做成倒装结构,称为thin film flip chip,薄膜倒装LED芯片或者去衬底倒装LED芯片,简称TFFC。

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晶能P0.6—P0.3显示方案TFFC 2*4mil芯片简介:

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VTF/TFFC 芯片实现P0.6—0.3技术方案介绍:

      由于现有四元红光去衬底后机械强度不够,在极小芯片尺寸下进行转移的过程中容易碎裂,很难进行后续的工艺生产。晶能将以下两个技术路线为主要研发方向:

技术路线一:

      RGB三色均采用InGaN TFFC ,LED外延、芯片制程统一。硅基InGaN红光LED取得巨大突破,为该技术提供可能。

技术路线二:

     TFFC芯片+量子点/KSF红光(QD/KSF+蓝光InGaNLED),采用印刷、喷涂、打印等技术,在蓝光LED表面放置QD或者KSF荧光粉得到红色的LED。

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TFFC、FC与Micro芯片对比(实现P0.6以下间距显示):

     用Micro芯片技术的约70%去实现Mini显示,降低了技术难度,同时可以让4k、8k超高清显示的LED芯片成本大幅度降低,大量量产有机会在2年内实现。



02

硅基Mini LED芯片进展


晶能硅基Mini LED 产品量产规划:

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4K、8K Mini超高清显示大屏在5G技术的驱动下势不可挡,晶能硅基Mini LED芯片技术路线有机会提供一个超高性价比光源解决方案。


03

硅基Micro LED芯片展望


Micro LED预研:

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世界范围内主流Micro的研究方向还是以硅衬底GaN  LED去衬底技术路线为主,由于硅衬底GaN与硅半导体晶圆的物理兼容性,可以最大效能利用晶能现有资源,同时避开巨量转移问题,公司优先着力Micro LED微显示研究,应用AR/VR/HUD/HMD等方向。


硅基GaN与硅基CMOS驱动电路进行晶圆级邦定,去除硅衬底后在CMOS晶圆继续GaN芯片工艺。


研发路线:先单色,后全彩。

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