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IR LEDs 筛选

IE 3W

采用大功率 42mil 红外芯片,利用大功率陶瓷封装技术(陶瓷基板+硅胶透镜),实现高导热率和耐大电流性能,同时拥有独特的光学设计和全系列角度(30°、60°、80°、90°、120°、160°),可以满足安防领域不同角度需求。


产品优势

高导热氧化铝陶瓷基材

耐大电流封装技术

独特的光学设计

更好的散热、低热阻


产品特征

大功率陶瓷封装,多角度光学设计

42mil红外芯片

尺寸:3.5x3.5mm

支持表面贴片技术(SMT)

热电分离焊盘设计

产品展示

电性参数: (T solder pad =25℃) 
产品型号

峰值波长

 (nm)

总辐射能量

(mW)

电压 (V)

指向性      

 (degree)

电流 

(mA)

LED高度
Typ.  Max. 
IEP8530Y850nm800~10001.62.235°10003.55mm
IEP8584K850nm800~10001.62.260°10002.60mm
IEP85120K850nm800~10001.62.280°10002.45mm
IEP85130K850nm800~10001.62.290°10002.25mm
IEP85120B850nm800~10001.62.2120°10002.20mm
IEP85140K850nm800~10001.62.2160°10001.40mm
IEP94120K
    (双PN结)
940nm1600~20002.63.480°10002.45mm
IEP94130K
    (双PN结)
940nm1600~20002.63.490°10002.45mm


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